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BFR 182 E6327 /射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR 182 E6327的规格信息
BFR 182 E6327的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

系列:BFR182

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:70

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

集电极连续电流:0.035 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:20 V

直流电流增益 hFE 最大值:70 at 10 mA at 8 V

高度:1 mm

长度:2.9 mm

工作频率:8000 MHz

类型:RF Bipolar Small Signal

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

增益带宽产品fT:8000 MHz

最大直流电集电极电流:0.035 A

Pd-功率耗散:250 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:BFR182E6327HTSA1 BFR182E6327XT SP000011051

单位重量:8 mg

供应商BFR 182 E6327
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